不出意外，意外发生了。

杨老表述了收徒的意愿后，高强以自己需要全力攻克4G基带芯片以及不想过早承担过重的压力为由，拒绝成为杨老的学生。

直接把刘博士都整懵逼了，这多好的机会啊，多少人求着、跪着都找不到门路呢。

杨老还没来得及提起未来院士提名的事情，毕竟当时人确实有点多，加上他认为帝都大学的招牌很闪亮，足以将高强拿下。

其实，高强这家伙学历不高，但内心是十足的愤青。

在后世帝都大学和青华大学因为各种原因，在国人的心里其实就那么回事。

要是杨老亮出的招牌是国防七子的任意一所大学，高强铁定要抱紧大腿不放松。

至于帝都大学和青华大学，他内心没有升腾起足够的信任。

没办法，这两所大学有几个专家、教授可谓是一言难尽。

总之就是杨老的话头刚提起，高强就冷着脸拒绝的很干脆，甚至连芯片试生产，观摩芯片掩膜版环节都不去了。

任老总只能夹在中间做和事佬。

杨老起初以为是年轻人心高气傲，后来在去往魔都龙芯国际试验基地的路上才琢磨出点异样来。

不甘心啊！

杨老心道好不容易碰到个好苗子，要是不收为徒弟真是暴殄天物。

在杨老看来，帝都大学的教学环境和科研设备都是世界顶尖的，加上自己的倾囊相授，这高强的天赋又如此的高，未来的成就必然在自己之上。

28纳米制程的芯片设计，哪怕是改良设计，仅凭架构的改动和算法的优化就能容纳、平衡12核心的功耗、性能，这份天赋足以证明高强有资格当自己的徒弟，甚至是关门弟子。

说句实话，这次芯片的改良设计哪怕自己亲自操盘，12核心的架构也能搭建起来，但在算法的优化方面短时间难以做的比高强好。

原因很简单，他这么多年极力的精研芯片的小纳米化，从未将精力放到芯片算法的优化上面。

因为，几乎全球所有的芯片设计师都认为，芯片想要降低功耗、提升性能唯一的出路就是追求芯片的小纳米制程。

这条路未走到极限之前，不会有人停下脚步去思考，通过优化架构和算法来降低功耗、提升性能。

目前光刻机已经可以生产10纳米制程的芯片了，但在芯片设计领域14纳米的芯片设计还未有成熟的方案。

在高通公司发布首款20纳米制程的商用芯片时，杨老就第一时间采买了一块，并经过数据验证，推论。

杨老得出的结论是，西方在20纳米制程芯片的设计上无限接近成熟，甚至对方可能在14纳米制程的芯片设计上有所突破。

因为，按照惯例，西方的绝大多数科技都是军转民。

杨老是经历过所谓的冰战时间段。

高通公司拿出20纳米制程的商用手机芯片，意味着西方手里握着14纳米制程的芯片设计，可能不成熟，但一定能用。甚至更进一步10纳米制程芯片设计概念，对方可能也已经立项。

冰战时间段的时间并不长，也就十几年的时间，但是冰战期间大量的军事研发投入，所形成的高技术研发成果。

特别是电脑、网络这些可以转为民用了。

当米国人把他的军事研发投入所形成的科技成果大规模转为民用的时候，时间恰好是90年代中期。

出现了大量的国际资本回流米国。

这并不难理解，毕竟资本是追逐利益的。

这些资本追求的目的就是要收割高技术产业所带来的超额收益。

因为原来的研发成本已经被军事部门承担了，使用这些技术的研发成果，直接进入商业化民用的市场。

里面有巨大的机会收益。

这个巨大的机会收益会吸引直奔回流到米国，来追求新经济，来追求IT产业的蓝海市场。

芯片领域是新经济、IT产业的技术垄断、卡脖子技术的重灾区。

杨老很清楚在芯片领域大炎国与西方的差距不是一般的大。

芯片的闭环需要打通三个环节，第一是芯片设计，第二用来支撑芯片设计的EDA芯片设计软件，第三光刻机。

芯片EDA芯片设计软件这块，其实龙科院有自主研发设计的龙芯EAD芯片设计软件，但在最后的仿真验证校验这块也只能达到99%。14纳米制程的仿真验证甚至只能达到98%。

别差只差1%，实际上影响巨大。

根本原因就是流片工艺是生活残芯片光掩膜版的必要流程。

一块芯片掩膜版，是需要经历多次流片才能达到实际的要求，也就是得到清晰的电路图案。

仿真验证这块差1%，进展到芯片掩膜版这块就会随着缩小小纳米制程工艺而被放大。

以白龙马芯片28纳米工艺制程举例，它的芯片掩膜版约为49层，也就是最少需要经历49次的流片步骤。

1%的设计误差，经过49道工序，就会被至少放大2-10倍，意味着良品率最高是98%，保底只有90%。

每进行一次流片，需要经历曝光、蚀刻、显影多达十多项的步骤。

业内顶级的流片工程师才能保底90%以上的良品率。

...

一块指甲盖大小的芯片成品。

若是将它放大、放大就可以看到迷宫一样的线路。

线路不止一层，每层都错综复杂。

放大到极限就能看到晶体管，一块芯片里有260亿个这样的小家伙。

260亿还不是晶体管集成的极限，最先进的芯片足以装得下900亿个晶体管。

芯片是如何造出来的？

第一步，先把石英砂烧制成多晶硅。

第二步，将多晶硅经过高温提存，纯度要达到9个9的单晶硅标准。

第三步，将单晶硅掐头去尾，切割成薄薄的硅片。

第四步，将硅片抛光打磨成镜面，此时的硅片就可以称为晶圆。12寸晶圆的直径是300毫米，跟一口锅差不多大。能切出230个芯片出来。晶圆的厚度只有0.75毫米。

第五步，晶圆未切出芯片前，需要晶圆先采用去离子水清洗，再用气体来干燥，然后放在高温下通入氧气，让晶圆的表面形成一层二氧化硅保护层。这样制造芯片的材料就准备好了。

第六步，就是用光刻机将电路图刻录到晶圆的表面。说是刻录，其实就是复印，将电路图复制到光刻胶上。

先在晶圆中心滴上光刻胶，然后通过设备高速旋转，就是利用离心力的原理，让光刻胶分布均匀。

期间还要浅浅烘烤一下，帮助光刻胶附着在晶圆上。

重点来了，下一步就需要将晶圆送进光刻机里。